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SI4833DY-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOIC-8 Narrow
数量：: 5481
说明：: MOSFET 30V 3.5A 2W

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SI4833DY-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：14 ns
工厂包装数量：100
上升时间：9 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：85 mOhms
漏极连续电流：3.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI4833DY-E3的详细信息，包括SI4833DY-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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