首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI4834CDY-T1-GE3

SI4834CDY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 567
说明：: MOSFET 30V 8A / 8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky

一、本商品被浏览0次.

SI4834CDY-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI4834CDY-GE3
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：16.5 nc
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：29 S
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 mOhms
漏极连续电流：7.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI4834CDY-T1-GE3的详细信息，包括SI4834CDY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：