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SI4554DY-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-SOIC
数量：
 846  
说明：
 MOSFET 40V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH
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SI4554DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：17 ns, 40 ns
上升时间：12 ns, 40 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：6.5 nC, 21.7 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：27 S, 25 S
下降时间：7 ns, 18 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.024 Ohms, 0.027 Ohms
漏极连续电流：6.8 A, - 6.6 A
汲极/源极击穿电压：40 V, - 40 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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