SI4276DY-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 5517
说明：: MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8

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中文参数如下：
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：15.3 毫欧 @ 9.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：26nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1000pF @ 15V
功率 - 最大：3.6W, 2.8W
安装类型：表面贴装

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