SI4286DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 6192
说明：: MOSFET 40 Volts 7 Amps 2.9 Watts

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SI4286DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4286DY-GE3
典型关闭延迟时间：10 ns
上升时间：11 ns
功率耗散：2.9 W
栅极电荷 Qg：6.8 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：27 S
下降时间：7 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.027 Ohms
漏极连续电流：7 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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