SI4090DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 4770
说明：: MOSFET 100V 10mOhm@10V 19.7A N-Ch MV T-FET

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SI4090DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4090DY-GE3
功率耗散：7.8 W
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10 mOhms at 10 V
漏极连续电流：19.7 A
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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