SI4102DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 594
说明：: MOSFET 100V 3.8A 4.8W 158mohm @ 10V

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SI4102DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4102DY-GE3
典型关闭延迟时间：12 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：10 ns
功率耗散：2.4 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.158 Ohms
漏极连续电流：2.7 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4102DY-T1-GE3的详细信息，包括SI4102DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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