SI3850ADV-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 6-TSOP
数量：: 5175
说明：: MOSFET 20V 1.4/0.96A

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SI3850ADV-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI3850ADV-E3
典型关闭延迟时间：20 ns at N Channel, 18 ns at P Channel
工厂包装数量：3000
上升时间：16 ns at N Channel, 34 ns at P Channel
功率耗散：1.06 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：16 ns at N Channel, 34 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.3 Ohms, 0.64 Ohms
漏极连续电流：1.4 A, 0.96 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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