SI3850DV-T1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TSOP-6
数量：: 8253
说明：: MOSFET 20V 1.2/0.85A

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：20 ns at N Channel, 10 ns at P Channel
工厂包装数量：3000
上升时间：20 ns
功率耗散：1.25 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：20 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.5 Ohms, 1 Ohms
漏极连续电流：1.2 A, 0.85 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

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