SI3585CDV-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 6-TSOP
数量：: 4015
说明：: MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts

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SI3585CDV-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI3585CDV-GE3
典型关闭延迟时间：11 ns, 13 ns
上升时间：20 ns, 10 ns
功率耗散：1.4 W
栅极电荷 Qg：3.2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12 S, 1 S
下降时间：8 ns, 7 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.048 Ohms, 0.162 Ohms
漏极连续电流：3.9 A, - 2.1 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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