SI3586DV-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 6-TSOP
数量：: 243
说明：: MOSFET N&P-CH 20V (D-S)

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SI3586DV-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI3586DV-E3
典型关闭延迟时间：25 ns at N Channel, 55 ns at P Channel
工厂包装数量：3000
上升时间：52 ns at N Channel, 55 ns at P Channel
功率耗散：830 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：52 ns at N Channel, 55 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.06 Ohms, 0.11 Ohms
漏极连续电流：2.9 A, 2.1 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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