首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI2331DS-T1-E3

SI2331DS-T1-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOT-23-3（TO-236）
数量：
 7902  
说明：
 MOSFET 12V 3.6A 0.71W
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI2331DS-T1-E3-SOT-23-3（TO-236）图片

SI2331DS-T1-E3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI2331DS-E3
典型关闭延迟时间：65 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：35 ns
功率耗散：710 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：35 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-236-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.048 Ohms
漏极连续电流：3.2 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI2331DS-T1-E3的详细信息，包括SI2331DS-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • ISC0804NLSATMA1
  • PSMN1R4-30YLDX
  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60
  • AOW20S60
  • GT100N12D5
  • SQJ886EP-T1_BE3
  • DMT15H017LPS-13

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC