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SI2333DDS-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：
 7533  
说明：
 MOSFET -12V 28mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III
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SI2333DDS-T1-GE3-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3图片

SI2333DDS-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26 ns
商标名：P-Channel Gen III
上升时间：24 ns
功率耗散：1.7 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：18 S
下降时间：20 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23 (TO-236)
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：28 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 6 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：- 12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI2333DDS-T1-GE3的详细信息，包括SI2333DDS-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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