SI2318DS-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOT-23-3（TO-236）
数量：: 21862
说明：: MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V

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SI2318DS-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI2318DS-GE3
典型关闭延迟时间：20 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：750 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-236-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.045 Ohms
漏极连续电流：3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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