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SI2319DS-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：
 7785  
说明：
 MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
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SI2319DS-T1-GE3-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3图片

SI2319DS-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI2319DS-GE3
工厂包装数量：3000
功率耗散：750 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-236-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.082 Ohms
漏极连续电流：2.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI2319DS-T1-GE3的详细信息，包括SI2319DS-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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