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SI1906DL-T1

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOT-363
数量：
 342  
说明：
 MOSFET 20V 0.25A
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SI1906DL-T1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：19 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：25 ns
功率耗散：0.2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：25 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.5 Ohms
漏极连续电流：250 mA
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

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