首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI1902DL-T1-GE3

SI1902DL-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SC-70-6
数量：: 12649
说明：: MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6

一、本商品被浏览0次.

SI1902DL-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：385 毫欧 @ 660ma, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：660mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：1.2nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：270mW
安装类型：表面贴装

以上是SI1902DL-T1-GE3的详细信息，包括SI1902DL-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：