SI1900DL-T1

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOT-363-6
数量:
 2655  
说明:
 MOSFET 30V 0.63A
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SI1900DL-T1 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:8 ns
商标名:TrenchFET
工厂包装数量:3000
上升时间:8 ns
功率耗散:270 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:8 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-363-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.48 Ohms
漏极连续电流:0.59 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI1900DL-T1的详细信息,包括SI1900DL-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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