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SI1900DL-T1

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOT-363-6
数量：
 2655  
说明：
 MOSFET 30V 0.63A
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SI1900DL-T1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：8 ns
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：3000
上升时间：8 ns
功率耗散：270 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.48 Ohms
漏极连续电流：0.59 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI1900DL-T1的详细信息，包括SI1900DL-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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