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SI1473DH-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SC-70-6
数量：: 6147
说明：: MOSFET 30V 2.7A P-CH MOSFET

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SI1473DH-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI1473DH-GE3
功率耗散：1.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：4.1 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6 S
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.1 Ohms
漏极连续电流：2.8 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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