SI1026X-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SC-89（SOT-563F）
数量：: 8982
说明：: MOSFET Dual N-Ch MOSFET 60V 1.25 ohms @ 10V

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SI1026X-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI1026X-GE3
工厂包装数量：3000
功率耗散：250 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SC-89-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.4 Ohms
漏极连续电流：0.305 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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