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SI1029X-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SC-89（SOT-563F）
数量：
 9  
说明：
 MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 1.25/5.0ohms@10V
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SI1029X-T1-GE3-SC-89（SOT-563F）图片

SI1029X-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI1029X-GE3
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：3000
功率耗散：250 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SC-89-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 Ohms, 8 Ohms
漏极连续电流：0.305 A, - 190 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：+/- 60 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI1029X-T1-GE3的详细信息，包括SI1029X-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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