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中文参数如下:
功率耗散:389 W
安装风格:SMD/SMT
包装形式:Bulk
封装形式:M174
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:20 A
汲极/源极击穿电压:125 V
输出功率:150 W
增益:15 dB at 175 MHz
频率:230 MHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:STMicroelectronics
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