中文参数如下： 晶体管极性：NPN 安装风格：Screw 最小工作温度：- 65 C 最大工作温度：+ 150 C 包装形式：Tray 封装形式：M111 功率耗散：140 W 集电极连续电流：10 A 发射极 - 基极电压 VEBO：4 V 集电极—发射极最大电压 VCEO：35 V 最大工作频率：170 MHz to 230 MHz 直流集电极/Base Gain hfe Min：10 配置：Single Dual Emitter RoHS：是 制造商：Advanced Semiconductor, Inc.
