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SD1015-06

厂家：: Advanced Semiconductor, Inc.
封装：: M135
数量：: 2417
说明：: 射频双极电源晶体管 RF Transistor

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SD1015-06 PDF参数资料

中文参数如下：

晶体管极性：NPN
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 65 C
最大工作温度：+ 200 C
包装形式：Tray
封装形式：M135
功率耗散：10 W
集电极连续电流：1 A
发射极 - 基极电压 VEBO：4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：18 V
最大工作频率：150 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min：35
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.

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