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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:16 ns
功率耗散:1.25 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:2.2 nC
包装形式:Reel
封装形式:TSMT6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):96 mOhms
漏极连续电流:2 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
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