RGT16TM65DGC9

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TO-220NFM
数量：: 8973
说明：: IGBT TRENCH FLD 650V 9A TO220NFM

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RGT16TM65DGC9 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-220-3 整包
安装类型：通孔
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：42 ns
测试条件：400V，8A，10欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：13ns/33ns
栅极电荷：21 nC
输入类型：标准
开关能量：-
功率 - 最大值：22 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，8A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：24 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：9 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

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