PTMA210452EL V1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-33265-8
数量:
 6336  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD 8 IC
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PTMA210452EL V1 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:MA210452ELV1XP PTMA210452ELV1XWSA1 SP000408182
工厂包装数量:50
系列:PTMA210452
安装风格:SMD/SMT
包装形式:Tray
封装形式:H-33265-8
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:450 mA
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:3.2 W
增益:28 dB
频率:1.9 GHz to 2.2 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

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