PTFA071701E V4

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 H-36248-2
数量:
 5328  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
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PTFA071701E V4 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:FA071701EV4XP PTFA071701EV4XWSA1 SP000707898
系列:PTFA071701
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.07 Ohms
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Tray
封装形式:H-36248-2
最大工作温度:+ 125 C
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:1 A
汲极/源极击穿电压:65 V
配置:Single
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Infineon

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