PTFA041501E V4

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-36248-2
数量：: 5247
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

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PTFA041501E V4 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FA041501EV4XP PTFA041501EV4XWSA1 SP000737282
系列：PTFA041501
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.07 Ohms
最小工作温度：- 40 C
封装形式：H-36248-2
最大工作温度：+ 125 C
闸/源击穿电压：12 V
漏极连续电流：900 mA
汲极/源极击穿电压：65 V
配置：Single
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

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