首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 射频半导体 > 晶体管射频 > 射频MOSFET电源晶体管 > PTF180301EV1R250

PTF180301EV1R250

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-30265
数量：: 7290
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7

一、本商品被浏览0次.

PTF180301EV1R250 PDF参数资料

中文参数如下：

功率耗散：145 W
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Reel
封装形式：H-30265
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：12 V
漏极连续电流：400 mA
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：30 W
增益：16.5 dB
频率：1.99 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

以上是PTF180301EV1R250的详细信息，包括PTF180301EV1R250厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频硅锗晶体管射频双极小信号晶体管射频JFET晶体管射频双极电源晶体管射频MOSFET小信号晶体管