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PTF080101SV1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 32259
数量：
 7092  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10 W, 860-960 MHz
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PTF080101SV1 PDF参数资料

中文参数如下：

电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.83 Ohms
功率耗散：58 W
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
包装形式：Reel
封装形式：32259
最大工作温度：+ 200 C
闸/源击穿电压：- 0.5 V, + 12 V
汲极/源极击穿电压：65 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：Infineon

以上是PTF080101SV1的详细信息，包括PTF080101SV1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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