PSMN4R1-30YLC,115

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 LFPAK56,Power-SO8
数量:
 4302  
说明:
 MOSFET N-Ch 30V 4.35mOhms
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PSMN4R1-30YLC,115 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:1500
功率耗散:64 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:23 nC
包装形式:Reel
封装形式:LFPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.35 mOhms
漏极连续电流:90 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

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