PSMN4R3-100ES,127

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
数量:
 279  
说明:
 MOSFET N-Ch 100V 4.3 m std level MOSFET
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PSMN4R3-100ES,127 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
上升时间:91 ns
功率耗散:338 W
栅极电荷 Qg:170 nC
下降时间:63 ns
包装形式:Tube
封装形式:I2PAK
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.3 mOhms
漏极连续电流:120 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

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