PSMN2R6-30YLC,115

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SC-100，SOT-669
数量：: 4104
说明：: MOSFET N-Ch 30V 2.8mOhms

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PSMN2R6-30YLC,115 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：1500
功率耗散：106 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：39 nC
包装形式：Reel
封装形式：LFPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.8 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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