PSMN2R6-60PSQ

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: TO-220-3
数量：: 13834
说明：: MOSFET N-Channel MOSFET

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PSMN2R6-60PSQ PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：87 ns
上升时间：50 ns
功率耗散：326 W
栅极电荷 Qg：140 nC
下降时间：58 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.6 mOhms
漏极连续电流：150 A
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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