PSMN2R7-30BL,118

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 8964
说明：: MOSFET Std N-chanMOSFET

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PSMN2R7-30BL,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：800
功率耗散：170 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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