PHK4NQ10T /T3

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 SO-8
数量:
 1674  
说明:
 MOSFET TAPE13 PWR-MOS
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PHK4NQ10T /T3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:PHK4NQ10T,518
典型关闭延迟时间:26 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:13 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 65 C
下降时间:12 ns
包装形式:Reel - 13 in
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.07 Ohms
漏极连续电流:4 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:NXP

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