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PHD55N03LTA,118

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 DPAK
数量：
 4545  
说明：
 MOSFET TAPE13 MOSFET
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PHD55N03LTA,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：85000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel - 13 in
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：14 mOhms
漏极连续电流：55 A
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：NXP

以上是PHD55N03LTA,118的详细信息，包括PHD55N03LTA,118厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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