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中文参数如下:
零件号别名:/T3 PHD66NQ03LT
典型关闭延迟时间:25 ns
工厂包装数量:2500
功率耗散:93000 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:SOT-428
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):10.5 mOhms
漏极连续电流:66 A
汲极/源极击穿电压:25 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:NXP
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