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PHD38N02LT,118

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: DPAK
数量：: 4518
说明：: MOSFET TAPE13 MOSFET

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PHD38N02LT,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：/T3 PHD38N02LT
典型关闭延迟时间：30 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：57600 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOT-428
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：16 mOhms at 5 V
漏极连续电流：44.7 A
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

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