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PHB193NQ06T,118

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: D2PAK
数量：: 4113
说明：: MOSFET TRENCHMOS (TM) FET

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PHB193NQ06T,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：71 ns
工厂包装数量：800
上升时间：51 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：41 ns
包装形式：Reel - 13 in
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.004 Ohms
漏极连续电流：75 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：NXP

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