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PHB191NQ06LT,118

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：
 4086  
说明：
 MOSFET N-CH TRENCH 55V
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PHB191NQ06LT,118-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

PHB191NQ06LT,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：/T3 PHB191NQ06LT
典型关闭延迟时间：273 ns
工厂包装数量：800
上升时间：232 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：178 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-404
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0037 Ohms
漏极连续电流：75 A
闸/源击穿电压：15 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHB191NQ06LT,118的详细信息，包括PHB191NQ06LT,118厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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