PHB191NQ06LT,118

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 4086  
说明:
 MOSFET N-CH TRENCH 55V
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PHB191NQ06LT,118 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:/T3 PHB191NQ06LT
典型关闭延迟时间:273 ns
工厂包装数量:800
上升时间:232 ns
功率耗散:300 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:178 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-404
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0037 Ohms
漏极连续电流:75 A
闸/源击穿电压:15 V
汲极/源极击穿电压:55 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:NXP

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