首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > PD85004

PD85004

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 SOT-89-3
数量：
 2340  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 RF PWR TRANSISTOR
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
PD85004-SOT-89-3图片

PD85004 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装：SOT-89-3
封装/外壳：TO-243AA
安装类型：表面贴装型
电压 - 额定：40 V
功率 - 输出：4W
电流 - 测试：50 mA
噪声系数：-
额定电流（安培）：2A
电压 - 测试：13.6 V
增益：17dB
频率：870MHz
配置：-
技术：LDMOS
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：STMicroelectronics

以上是PD85004的详细信息，包括PD85004厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPB100N04S303ATMA1
  • SQJ138ELP-T1_GE3
  • SI7157DP-T1-GE3
  • NVMFS5C456NT1G
  • SPW15N60CFDFKSA1
  • RJK0853DPB-00#J5
  • NP45N06PUK-E1-AY
  • SIR184LDP-T1-RE3
  • RD3L150SNFRATL
  • NVTFS5C454NLWFTAG

    • 相近型号推荐

    • PD85006-E图片

      PD85006-E

      射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic

    • PD85006L-E图片

      PD85006L-E

      射频MOSFET电源晶体管 RF power trans LDmoST plastic

    • PD85006TR-E图片

      PD85006TR-E

      射频MOSFET电源晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 6W 15dB 870MHz

    • PD85015-E图片

      PD85015-E

      射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans

    • PD85015S-E图片

      PD85015S-E

      射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans

    • PD85015TR-E图片

      PD85015TR-E

      射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans

    • PD85025C图片

      PD85025C

      射频MOSFET电源晶体管 RF Power Trans. LDMOST family

    • PD85025-E图片

      PD85025-E

      射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans

    • PD85025S-E图片

      PD85025S-E

      射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans

    • PD85025TR-E图片

      PD85025TR-E

      射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC