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PD85006-E

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 10-PowerSO
数量：
 2349  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
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PD85006-E PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：10-PowerSO
封装/外壳：PowerSO-10 裸露底部焊盘
安装类型：-
电压 - 额定：40 V
功率 - 输出：6W
电流 - 测试：200 mA
噪声系数：-
额定电流（安培）：2A
电压 - 测试：13.6 V
增益：17dB
频率：870MHz
配置：-
技术：LDMOS
产品状态：停产
包装：-
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是PD85006-E的详细信息，包括PD85006-E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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