PD85006-E

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 10-PowerSO
数量:
 2349  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
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PD85006-E PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:10-PowerSO
封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
安装类型:-
电压 - 额定:40 V
功率 - 输出:6W
电流 - 测试:200 mA
噪声系数:-
额定电流(安培):2A
电压 - 测试:13.6 V
增益:17dB
频率:870MHz
配置:-
技术:LDMOS
产品状态:停产
包装:-
系列:管件
品牌:STMicroelectronics

以上是PD85006-E的详细信息,包括PD85006-E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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