PD57006TR

厂家：: STMicroelectronics
封装：: PowerSO-10RF (Formed Lead)
数量：: 2151
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp

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PD57006TR PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：600
功率耗散：20 W
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Reel
封装形式：PowerSO-10RF (Formed Lead)
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：1 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：6 W
增益：15 dB at 945 MHz
频率：1 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：否
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：STMicroelectronics

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