NVMFD5877NLT1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
数量：: 7506
说明：: MOSFET 16-128MHZ3.3VGPEMI

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NVMFD5877NLT1G-8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）图片

NVMFD5877NLT1G PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：23 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：DFN-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：60 mOhms
漏极连续电流：17 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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