NVMFS003P03P8ZT1G

厂家：: onsemi
封装：: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
数量：: 2088
说明：: PFET SO8FL -30V 3MO

一、本商品被浏览0次.

NVMFS003P03P8ZT1G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），168.7W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：12120 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：167 nC @ 4.5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.8 毫欧 @ 23A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35.7A（Ta），234A（Tc）
漏源电压（Vdss）：30 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：onsemi

以上是NVMFS003P03P8ZT1G的详细信息，包括NVMFS003P03P8ZT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：