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NVD5806NT4G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 DPAK
数量：
 378  
说明：
 MOSFET POWER MOSFET 40V
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NVD5806NT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：40 W
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：12.7 mOhms
漏极连续电流：33 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NVD5806NT4G的详细信息，包括NVD5806NT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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