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NVD5807NT4G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 DPAK
数量：
 7263  
说明：
 MOSFET POWER MOSFET
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NVD5807NT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：20.4 ns
功率耗散：33 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：12.6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：8.1 S
下降时间：2 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 mOhms
漏极连续电流：23 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NVD5807NT4G的详细信息，包括NVD5807NT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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