NUS5530MNR2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-DFN（3.3x3.3）
数量：: 2664
说明：: MOSFET INTEGRATED POWER BJT

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NUS5530MNR2G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
功率耗散：635 mW
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12 S
包装形式：Reel
封装形式：DFN8
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：200 Ohms
漏极连续电流：- 3.9 A
闸/源击穿电压：- 35 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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